| SIR470DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Onderdeel nummer | SIR470DP-T1-GE3 |
| Fabrikant | Vishay Siliconix |
| Beschrijving | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| hoeveelheid beschikbaar | 31246 pcs new original in stock. Vraag voorraad en offerte aan |
| ECAD -model | |
| Datasheets | 1.SIR470DP-T1-GE3.pdf2.SIR470DP-T1-GE3.pdf3.SIR470DP-T1-GE3.pdf4.SIR470DP-T1-GE3.pdf |
| SIR470DP-T1-GE3 Price |
Vraag prijs en doorlooptijd online aan or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technische informatie van SIR470DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Fabrikant Onderdeelnummer | SIR470DP-T1-GE3 | Categorie | |
| Fabrikant | Vishay / Siliconix | Beschrijving | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| Pakket / koffer | PowerPAK® SO-8 | hoeveelheid beschikbaar | 31246 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Leverancier Device Pakket | PowerPAK® SO-8 |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, VGS | 2.3mOhm @ 20A, 10V |
| Vermogensverlies (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | Verpakking / doos | PowerPAK® SO-8 |
| Pakket | Tape & Reel (TR) | Temperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type | Surface Mount | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5660 pF @ 20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V | FET Type | N-Channel |
| FET Feature | - | Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan) | 4.5V, 10V |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss) | 40 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Base Productnummer | SIR470 | ||
| Download | SIR470DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Productmodel
SIR470DP-T1-GE3
Inleiding
Hoge prestaties N-Kanaal TrenchFET Power MOSFET
Merk en Fabrikant
Vishay / Siliconix
Kenmerken
MOSFET (Metaaloxide) technologie, N-Kanaal type, Tape & Reel (TR) verpakking voor automatische assemblage, compatibel met Surface Mount Technology (SMT), RoHS gecertificeerd voor milieuveiligheid, loodvrij voor verminderde toxiciteit
Productprestaties
Drain to Source Spanning (Vdss) 40V ondersteuning, Continue Drain Stroom (Id) 60A bij 25°C (Tc), Lage On-stroomweerstand Rds On 2,3 mOhm bij 20A, 10V, Gate Laadvermogen (Qg) van 155nC bij 10V, Input Capaciteit (Ciss) van 5660pF bij 20V, In staat om hoge temperaturen van tot 150°C (TJ) te weerstaan
Technische specificaties
Kraakvermogen 6,25W (Ta), 104W (Tc), Gate Schakelpositie Spanning (Vgs(th)) 2,5V bij 250A, Aandrijfspanning 4,5V (Maximum Rds On), 10V (Minimum Rds On), Gate-Source Spanning (Vgs max) ±20V
Afmetingen, vorm en verpakking
PowerPAK SO-8 verpakking, Leveranciersapparaatverpakking PowerPAK SO-8, Verpakt in Tape & Reel (TR) voor efficiënte assemblageprocessen
Kwaliteit en betrouwbaarheid
Gebouwd door gerenommeerde Vishay / Siliconix, Robuuste constructie voor duurzame prestaties
Voordelen van het product
Hoge draaispoelstroomcapaciteit, Verbeterde energie-efficiëntie met lage Rds On, Geschikt voor hoge dichtheid van krachtoverbrenging
Concurrentievermogen van het product
Concurrentiekrachtig in het veld van hoogpresterende discrete halfgeleiders, Biedt een balans tussen prijs en prestaties
Compatibiliteit
Compatibel met standaard SMT productieprocessen, Past bij PowerPAK SO-8 standaardvoetstukken en assemblagetechnieken
Standaardcertificering en naleving
RoHS gecertificeerd voor milieu- en consumentveiligheid
Levensduur en duurzaamheid
Ontworpen voor een lange operationele levensduur onder gespecificeerde omstandigheden
Daadwerkelijke toepassingsgebieden
Krachtoverbrengingsbeheer voor reken- en netwerkapparatuur, DC/DC conversoren, Aandrijfcontacten, Batterijgedreven systemen, Schakeltoepassingen die efficiënte energiebeheersing vereisen
E-mail ons: Info@Ariat-Tech.com of RFQ SIR470DP-T1-GE3 online.
| SIR470DP-T1-GE3 Stock | SIR470DP-T1-GE3 Prijs | SIR470DP-T1-GE3 Electronics | |||
| SIR470DP-T1-GE3-componenten | SIR470DP-T1-GE3-inventaris | SIR470DP-T1-GE3 Digikey | |||
| Leverancier SIR470DP-T1-GE3 | Bestel SIR470DP-T1-GE3 online | Vraag SIR470DP-T1-GE3 | |||
| SIR470DP-T1-GE3 afbeelding | SIR470DP-T1-GE3 Afbeelding | SIR470DP-T1-GE3 PDF | |||
| SIR470DP-T1-GE3 Datasheet | Download SIR470DP-T1-GE3 datasheet | Fabrikant Vishay / Siliconix | |||
| Gerelateerde onderdelen voor SIR470DP-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Beeld | Onderdeel nummer | Beschrijving | Fabrikant | Vraag een offerte aan | |
 |
SIR466DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
 |
SIR472ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SIR470DP-T1-GE3 MOS | VISHAY QFN | VISHAY | ||
|
SIR470DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIR468DP-T1-GE3 MOS | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
|
SIR468DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIR4680DP-T1-GE3 | VISHAY QFN | VISHAY | ||
|
SiR472DP MOS | VISHAY DFN-856 | VISHAY | ||
 |
SIR472ADP-T1 | ||||
|
SIR472DP | SIR472DP VISHAY | VISHAY | ||
|
SIR468DP-T1-GE3 MCU | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
|
SiR470DP | VISHAY DFN56 | VISHAY | ||
|
SIR466DP-T1-GE3 MOS | VISHAY SON8 | VISHAY | ||
|
SIR472DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIR468DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIR472ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SiR468DP MOS | VISHAY DFN-856 | VISHAY | ||
|
SiR472ADP | VISHAY DFN56 | VISHAY | ||
|
SiR472DP-T1-E3 | SiR472DP-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SiR470DP-T1-E3 | SiR470DP-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
Nieuws
Meer
Microchip's Polarfire® SOC FPGA heeft een AEC -Q100 -certificering ontvangen, wat zijn betrouwbaarheid bevestigt onder harde automobielvoorwaarden, i...
De PSOCTM 4000T is het eerste product van Infineon met de vijfde generatie Capsense ™ -technologie van het bedrijf en multisse functionaliteit.Deze d...
Een executive voor leverancier van Auto Parts heeft onthuld dat EV -ontwikkeling op de Noord -Amerikaanse markt is vastgelopen omdat autofabrikanten e...
Infineon en Eatron breiden hun samenwerking tussen AI Battery Management System (BMS) uit naar industriële en consumentenelektronica.Gebaseerd op de ...
Op Semiconductor kondigde onlangs de lancering aan van de eerste realtime, indirecte time-of-flight (ITOF) sensor, de Hyperlux ID-serie, die een zeer ...
Nieuwe Producten
Meer
Foto-elektrische sensor PD30-serie De miniatuur foto-elektrische sensoren van Carlo Gavazzi zijn uit...
XC112 / XR112 evaluatiekit voor de A111 gepulste coherente radarAcconeer's XC112 en XR112 evaluatiekit met platte flexibele kabels en ondersteuning vo...
Servo-aandrijvingen en motoren van de MINAS A6-serie Panasonic's MINAS A6-familie zorgt voor een sta...
UV-LED Driver Board RayVio's UV-LED-driverboard voor XE- en XP1-series UV-C-stralers De ultraviole...
Industriële en uitgebreide test DDR SDRAM De DDR SDRAM-apparaten van Insignis garanderen werking bi...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966TOEVOEGEN: Rm 2703 27F Ho King Comm Centre 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Auteursrechtaanduiding © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle rechten voorbehouden.