| SIHG33N60E-GE3 | |
|---|---|
| Onderdeel nummer | SIHG33N60E-GE3 |
| Fabrikant | Vishay Siliconix |
| Beschrijving | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC |
| hoeveelheid beschikbaar | 3059 pcs new original in stock. Vraag voorraad en offerte aan |
| ECAD -model | |
| Datasheets | 1.SIHG33N60E-GE3.pdf2.SIHG33N60E-GE3.pdf3.SIHG33N60E-GE3.pdf |
| SIHG33N60E-GE3 Price |
Vraag prijs en doorlooptijd online aan or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technische informatie van SIHG33N60E-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Fabrikant Onderdeelnummer | SIHG33N60E-GE3 | Categorie | |
| Fabrikant | Vishay / Siliconix | Beschrijving | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC |
| Pakket / koffer | TO-247AC | hoeveelheid beschikbaar | 3059 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Leverancier Device Pakket | TO-247AC |
| Serie | - | Rds On (Max) @ Id, VGS | 99mOhm @ 16.5A, 10V |
| Vermogensverlies (Max) | 278W (Tc) | Verpakking / doos | TO-247-3 |
| Pakket | Tube | Temperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type | Through Hole | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3508 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | FET Type | N-Channel |
| FET Feature | - | Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan) | 10V |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss) | 600 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
| Base Productnummer | SIHG33 | ||
| Download | SIHG33N60E-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Productmodel
SIHG33N60E-GE3
Inleiding
Dit is een hoogspannings, hoge prestaties N-Kanaal MOSFET ontworpen voor diverse vermogensapplicaties.
Merk en Fabrikant
Vishay Siliconix
Kenmerken
Hoge Drain-Source Spanning, N-Kanaal voor efficiënte geleiding, In staat om continue hoge stroom te verwerken
Productprestaties
Hoog vermogensafvoer van 278W, Lage Rds-Open voor energie-efficiëntie, Robuuste warmtebeheercapaciteiten
Technische specificaties
MOSFET Technologie, 600V Drain-Source Spanning, 33A Continue Drain Stroom
Afmetingen, vorm en verpakking
TO-247AC Verpakking, Doorheen Plaatsen Montage Type, Verzonden in Röntgeninspectie (X-Ray) Vrij Container
Kwaliteit en betrouwbaarheid
Loodvrij en RoHS-compliant, Sterk in een breed temperatuurbereik
Voordelen van het product
Hoge spanningverwerking, Energie-efficiënte werking, Geschikt voor hoge vermogensdichtheidtoepassingen
Concurrentievermogen van het product
Biedt concurrentievoordeel in hoogspanningstoepassingen
Compatibiliteit
Compatibel met verschillende circuits die N-Kanaal MOSFETs vereisen
Standaardcertificering en naleving
RoHS-compliant voor milieunormen
Levensduur en duurzaamheid
Ontworpen voor lange termijn betrouwbaarheid onder veeleisende omstandigheden
Daadwerkelijke toepassingsgebieden
Geschikt voor vermogensbeheertoepassingen in domeinen zoals informatietechnologie, autotechniek en industriële systemen
E-mail ons: Info@Ariat-Tech.com of RFQ SIHG33N60E-GE3 online.
| SIHG33N60E-GE3 Stock | SIHG33N60E-GE3 Prijs | SIHG33N60E-GE3 Electronics | |||
| SIHG33N60E-GE3-componenten | SIHG33N60E-GE3-inventaris | SIHG33N60E-GE3 Digikey | |||
| Leverancier SIHG33N60E-GE3 | Bestel SIHG33N60E-GE3 online | Vraag SIHG33N60E-GE3 | |||
| SIHG33N60E-GE3 afbeelding | SIHG33N60E-GE3 Afbeelding | SIHG33N60E-GE3 PDF | |||
| SIHG33N60E-GE3 Datasheet | Download SIHG33N60E-GE3 datasheet | Fabrikant Vishay / Siliconix | |||
| Gerelateerde onderdelen voor SIHG33N60E-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Beeld | Onderdeel nummer | Beschrijving | Fabrikant | Vraag een offerte aan | |
 |
SIHG30N60E-GE3 IC | VISHAY TO-247AC | VISHAY | ||
|
SIHG32N50D-GE3 IC | VISHAY TO-247 | VISHAY | ||
 |
SIHG33N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
 |
SIHG32N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIHG32N50D G32N50D | VISHAY TO-247 | VISHAY | ||
|
SIHG32N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
|
SIHG33N65EF-GE3 | MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIHG33N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SIHG33N60E | SIHG33N60E VISHYA | VISHYA | ||
|
SIHG33N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIHG32N50D-GE3 | MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
|
SIHG33N60EF | VISHAY TO-247 | VISHAY | ||
|
SIHG32N50D-GE3 | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIHG33N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
 |
SIHG33N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
|
SIHG33N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
|
SIHG33N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIHG35N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
|
SIHG32N50D | VISHAY | |||
|
SIHG33N65EF-GE3 | MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
Nieuws
Meer
Microchip's Polarfire® SOC FPGA heeft een AEC -Q100 -certificering ontvangen, wat zijn betrouwbaarheid bevestigt onder harde automobielvoorwaarden, i...
De PSOCTM 4000T is het eerste product van Infineon met de vijfde generatie Capsense ™ -technologie van het bedrijf en multisse functionaliteit.Deze d...
Een executive voor leverancier van Auto Parts heeft onthuld dat EV -ontwikkeling op de Noord -Amerikaanse markt is vastgelopen omdat autofabrikanten e...
Infineon en Eatron breiden hun samenwerking tussen AI Battery Management System (BMS) uit naar industriële en consumentenelektronica.Gebaseerd op de ...
Op Semiconductor kondigde onlangs de lancering aan van de eerste realtime, indirecte time-of-flight (ITOF) sensor, de Hyperlux ID-serie, die een zeer ...
Nieuwe Producten
Meer
Foto-elektrische sensor PD30-serie De miniatuur foto-elektrische sensoren van Carlo Gavazzi zijn uit...
XC112 / XR112 evaluatiekit voor de A111 gepulste coherente radarAcconeer's XC112 en XR112 evaluatiekit met platte flexibele kabels en ondersteuning vo...
Servo-aandrijvingen en motoren van de MINAS A6-serie Panasonic's MINAS A6-familie zorgt voor een sta...
UV-LED Driver Board RayVio's UV-LED-driverboard voor XE- en XP1-series UV-C-stralers De ultraviole...
Industriële en uitgebreide test DDR SDRAM De DDR SDRAM-apparaten van Insignis garanderen werking bi...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966TOEVOEGEN: Rm 2703 27F Ho King Comm Centre 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Auteursrechtaanduiding © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle rechten voorbehouden.