| SI2369DS-T1-GE3 | |
|---|---|
| Onderdeel nummer | SI2369DS-T1-GE3 |
| Fabrikant | Vishay Siliconix |
| Beschrijving | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236 |
| hoeveelheid beschikbaar | 8000 pcs new original in stock. Vraag voorraad en offerte aan |
| ECAD -model | |
| Datasheets | 1.SI2369DS-T1-GE3.pdf2.SI2369DS-T1-GE3.pdf3.SI2369DS-T1-GE3.pdf |
| SI2369DS-T1-GE3 Price |
Vraag prijs en doorlooptijd online aan or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technische informatie van SI2369DS-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Fabrikant Onderdeelnummer | SI2369DS-T1-GE3 | Categorie | |
| Fabrikant | Vishay / Siliconix | Beschrijving | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236 |
| Pakket / koffer | SOT-23-3 (TO-236) | hoeveelheid beschikbaar | 8000 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Leverancier Device Pakket | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, VGS | 29mOhm @ 5.4A, 10V |
| Vermogensverlies (Max) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) | Verpakking / doos | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pakket | Tape & Reel (TR) | Temperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type | Surface Mount | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1295 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | FET Type | P-Channel |
| FET Feature | - | Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan) | 4.5V, 10V |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss) | 30 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Tc) |
| Base Productnummer | SI2369 | ||
| Download | SI2369DS-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Productmodel
SI2369DS-T1-GE3
Inleiding
P-kanalen MOSFET voor zwakke signalen
Merk en Fabrikant
Vishay / Siliconix
Kenmerken
Reeks TrenchFET, P-kanalen MOSFET technologie, leidloos en ROHS-compliant, oppervlakkige verplaatsbare TO-236 verpakking, hoge continue stroomdoorvoer
Productprestaties
Brede werkingstemperatuurbereik van -55°C tot 150°C, geschikt voor hoge vermogensafgifte tot 2,5W, uitstekende Rds On prestaties
Technische specificaties
Drain-Source Spanning (Vdss): 30V, Gate-Source Spanning (Vgs): ±20V, Gate Drempel Spanning (Vgs(th)): 2,5V
Afmetingen, vorm en verpakking
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 verpakking, Tape & Reel (TR) verpakking voor automatische assemblage
Kwaliteit en betrouwbaarheid
Zeer betrouwbare Siliconix constructie
Voordelen van het product
Efficiënte vermogensbeheer, verminderde vermogensverliezen
Concurrentievermogen van het product
Concurrentiekrachtig in toepassingen met hoge dichtheid
Compatibiliteit
Compatibel met standaard oppervlakkige montage technieken
Standaardcertificering en naleving
ROHS-compliant voor milieuveiligheid
Levensduur en duurzaamheid
Ontworpen voor langdurige betrouwbaarheid
Daadwerkelijke toepassingsgebieden
Vermogensbeheer in draagbare elektronica, schakel- en versterkingsapplicaties
E-mail ons: Info@Ariat-Tech.com of RFQ SI2369DS-T1-GE3 online.
| SI2369DS-T1-GE3 Stock | SI2369DS-T1-GE3 Prijs | SI2369DS-T1-GE3 Electronics | |||
| SI2369DS-T1-GE3-componenten | SI2369DS-T1-GE3-inventaris | SI2369DS-T1-GE3 Digikey | |||
| Leverancier SI2369DS-T1-GE3 | Bestel SI2369DS-T1-GE3 online | Vraag SI2369DS-T1-GE3 | |||
| SI2369DS-T1-GE3 afbeelding | SI2369DS-T1-GE3 Afbeelding | SI2369DS-T1-GE3 PDF | |||
| SI2369DS-T1-GE3 Datasheet | Download SI2369DS-T1-GE3 datasheet | Fabrikant Vishay / Siliconix | |||
| Gerelateerde onderdelen voor SI2369DS-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Beeld | Onderdeel nummer | Beschrijving | Fabrikant | Vraag een offerte aan | |
 |
SI2371EDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23 | Vishay Siliconix | ||
 |
Si2371EDS-T1-E3 | Si2371EDS-T1-E3 Son | Son | ||
|
SI2367DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3 | Vishay Siliconix | ||
 |
SI2366DS/RCR1557SJ | VISHAY SOT-163 | VISHAY | ||
|
SI2367DS-T1-GE3 MOS | VISHAY SOT-23 | VISHAY | ||
|
Si2367DS-T1-E3 | Si2367DS-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
 |
SI2371EDS-T1-BE3 | P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | Vishay Siliconix | ||
|
SI2372DS | SI2372DS AOS | AOS | ||
|
SI2367DS-T1-BE3 | P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET | Vishay Siliconix | ||
|
Si2366DS-T1-GE3 MOS | VISHAY SOT-23 | VISHAY | ||
|
SI2369BDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23 | Vishay Siliconix | ||
 |
SI2367DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI2369DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI2371EDS | VISHAY | |||
|
SI2366DS-T1-GE3 IC | VISHAY SOT23-3 | VISHAY | ||
|
SI2369DS-T1-BE3 | P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | Vishay Siliconix | ||
|
SI2369DS-T1-GE3 MOS | VISHAY TO-263 | VISHAY | ||
|
SI2371EDS-T1-GE3 MOS | VISHAY SOT-23 | VISHAY | ||
|
SI2372DS-T1-E3 | SI2372DS-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI2371EDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
Nieuws
Meer
Microchip's Polarfire® SOC FPGA heeft een AEC -Q100 -certificering ontvangen, wat zijn betrouwbaarheid bevestigt onder harde automobielvoorwaarden, i...
De PSOCTM 4000T is het eerste product van Infineon met de vijfde generatie Capsense ™ -technologie van het bedrijf en multisse functionaliteit.Deze d...
Een executive voor leverancier van Auto Parts heeft onthuld dat EV -ontwikkeling op de Noord -Amerikaanse markt is vastgelopen omdat autofabrikanten e...
Infineon en Eatron breiden hun samenwerking tussen AI Battery Management System (BMS) uit naar industriële en consumentenelektronica.Gebaseerd op de ...
Op Semiconductor kondigde onlangs de lancering aan van de eerste realtime, indirecte time-of-flight (ITOF) sensor, de Hyperlux ID-serie, die een zeer ...
Nieuwe Producten
Meer
Foto-elektrische sensor PD30-serie De miniatuur foto-elektrische sensoren van Carlo Gavazzi zijn uit...
XC112 / XR112 evaluatiekit voor de A111 gepulste coherente radarAcconeer's XC112 en XR112 evaluatiekit met platte flexibele kabels en ondersteuning vo...
Servo-aandrijvingen en motoren van de MINAS A6-serie Panasonic's MINAS A6-familie zorgt voor een sta...
UV-LED Driver Board RayVio's UV-LED-driverboard voor XE- en XP1-series UV-C-stralers De ultraviole...
Industriële en uitgebreide test DDR SDRAM De DDR SDRAM-apparaten van Insignis garanderen werking bi...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966TOEVOEGEN: Rm 2703 27F Ho King Comm Centre 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Auteursrechtaanduiding © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle rechten voorbehouden.