IXTA3N120 | |
---|---|
Onderdeel nummer | IXTA3N120 |
Fabrikant | IXYS |
Beschrijving | MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 |
hoeveelheid beschikbaar | 5100 pcs new original in stock. Vraag voorraad en offerte aan |
ECAD -model | |
Datasheets | IXTA3N120.pdf |
IXTA3N120 Price |
Vraag prijs en doorlooptijd online aan or Email us: Info@ariat-tech.com |
Technische informatie van IXTA3N120 | |||
---|---|---|---|
Fabrikant Onderdeelnummer | IXTA3N120 | Categorie | |
Fabrikant | IXYS / Littelfuse | Beschrijving | MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 |
Pakket / koffer | TO-263AA | hoeveelheid beschikbaar | 5100 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Leverancier Device Pakket | TO-263AA |
Serie | - | Rds On (Max) @ Id, VGS | 4.5Ohm @ 1.5A, 10V |
Vermogensverlies (Max) | 200W (Tc) | Verpakking / doos | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pakket | Tube | Temperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
montage Type | Surface Mount | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | FET Type | N-Channel |
FET Feature | - | Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan) | 10V |
Drain naar de Bron Voltage (Vdss) | 1200 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
Base Productnummer | IXTA3 | ||
Download | IXTA3N120 PDF - EN.pdf |
IXTA3N120
Hoge spanning N-Kanaal Power MOSFET
IXYS Corporation
Metaaloxide MOSFET-technologie, N-Kanaal voor hogere efficiëntie, Hoge drain-source spanning - 1200V, Oppervlakte gemonteerde TO-263 verpakking
Continue drainstroom van 3A bij 25°C, Laag doorlaatweerstand van 4,5 Ohm bij 1,5A, 10V, Hoge vermogensafvoercapaciteit van 200W
FET-type: N-Kanaal MOSFET, Drain naar source spanning (Vdss): 1200V, Stroom - Continue drain (Id): 3A, Rds On: 4,5 Ohm, Gate-lading (Qg): 42nC, Ingangscapacitantie (Ciss): 1350pF, Aangedreven spanning: 10V, Bedrijfstemperatuur: -55°C tot 150°C
Verpakking: TO-263-3, D2PAK, Loodvrij / RoHS-conform, Verpakking: Buis
Betrouwbare prestaties onder extreme omstandigheden
Hoge spanningscapaciteit ideaal voor vermogensregulatie, Energiezuinig N-Kanaal ontwerp, Loodvrij en voldoet aan milieuwetgeving
Concurrentieel in toepassingen met hoge spanning
Compatibel met verschillende schakelingen die hoge spanning vereisen
RoHS-conform
Duurzaam ontwerp voor langdurig gebruik
Voedingsunits, Motor aandrijvingen, Inverters, Converters, Elektrische voertuigen, Hernieuwbare energiesystemen
IXTA3N120 Stock | IXTA3N120 Prijs | IXTA3N120 Electronics | |||
IXTA3N120-componenten | IXTA3N120-inventaris | IXTA3N120 Digikey | |||
Leverancier IXTA3N120 | Bestel IXTA3N120 online | Vraag IXTA3N120 | |||
IXTA3N120 afbeelding | IXTA3N120 Afbeelding | IXTA3N120 PDF | |||
IXTA3N120 Datasheet | Download IXTA3N120 datasheet | Fabrikant IXYS / Littelfuse |
Gerelateerde onderdelen voor IXTA3N120 | |||||
---|---|---|---|---|---|
Beeld | Onderdeel nummer | Beschrijving | Fabrikant | Vraag een offerte aan | |
![]() |
IXTA3N120-TRR | MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 | IXYS | ||
![]() |
IXTA3N50D | IXTA3N50D IXYS | IXYS | ||
![]() |
IXTA3N150HV D2PAK | Original New | Original | ||
![]() |
IXTA3N120 MOS | IXYS TO-263 | IXYS | ||
![]() |
IXTA3N100 | IXTA3N100 IXYS | IXYS | ||
![]() |
IXTA3N150HV-TRL | MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV | IXYS | ||
![]() |
IXTA3N110 | MOSFET N-CH 1100V 3A TO263 | IXYS | ||
![]() |
IXTA3N100D2HV | MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV | IXYS | ||
![]() |
IXTA3N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 3A TO263 | IXYS | ||
![]() |
IXTA3N100D2-TRL | MOSFET N-CH 1000V 3A TO263 | IXYS | ||
![]() |
IXTA38N15T | MOSFET N-CH 150V 38A TO263 | IXYS | ||
![]() |
IXTA3N120HV | MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 | IXYS | ||
![]() |
IXTA3N120-TRL | MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 | IXYS | ||
![]() |
IXTA3N100P-TRL | MOSFET N-CH 1000V 3A TO263 | IXYS | ||
![]() |
IXTA3N110-TRL | MOSFET N-CH 1100V 3A TO263 | IXYS | ||
![]() |
IXTA3N120TRL | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 | IXYS Corporation | ||
![]() |
IXTA3N120HV-TRL | MOSFET N-CH 1200V 3A TO263HV | IXYS | ||
![]() |
IXTA3N100D2HV-TRL | MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV | IXYS | ||
![]() |
IXTA3N150HV | MOSFET N-CH 1500V 3A TO263 | IXYS | ||
![]() |
IXTA3N100P | MOSFET N-CH 1000V 3A TO263 | IXYS |
Nieuws
MeerMicrochip's Polarfire® SOC FPGA heeft een AEC -Q100 -certificering ontvangen, wat zijn betrouwbaarheid bevestigt onder harde automobielvoorwaarden, i...
De PSOCTM 4000T is het eerste product van Infineon met de vijfde generatie Capsense ™ -technologie van het bedrijf en multisse functionaliteit.Deze d...
Een executive voor leverancier van Auto Parts heeft onthuld dat EV -ontwikkeling op de Noord -Amerikaanse markt is vastgelopen omdat autofabrikanten e...
Infineon en Eatron breiden hun samenwerking tussen AI Battery Management System (BMS) uit naar industriële en consumentenelektronica.Gebaseerd op de ...
Op Semiconductor kondigde onlangs de lancering aan van de eerste realtime, indirecte time-of-flight (ITOF) sensor, de Hyperlux ID-serie, die een zeer ...
Nieuwe Producten
MeerFoto-elektrische sensor PD30-serie De miniatuur foto-elektrische sensoren van Carlo Gavazzi zijn uit...
XC112 / XR112 evaluatiekit voor de A111 gepulste coherente radarAcconeer's XC112 en XR112 evaluatiekit met platte flexibele kabels en ondersteuning vo...
Servo-aandrijvingen en motoren van de MINAS A6-serie Panasonic's MINAS A6-familie zorgt voor een sta...
UV-LED Driver Board RayVio's UV-LED-driverboard voor XE- en XP1-series UV-C-stralers De ultraviole...
Industriële en uitgebreide test DDR SDRAM De DDR SDRAM-apparaten van Insignis garanderen werking bi...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966TOEVOEGEN: Rm 2703 27F Ho King Comm Centre 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.