| IXKR40N60C | |
|---|---|
| Onderdeel nummer | IXKR40N60C |
| Fabrikant | IXYS |
| Beschrijving | MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 |
| hoeveelheid beschikbaar | 3028 pcs new original in stock. Vraag voorraad en offerte aan |
| ECAD -model | |
| Datasheets | 1.IXKR40N60C.pdf2.IXKR40N60C.pdf |
| IXKR40N60C Price |
Vraag prijs en doorlooptijd online aan or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technische informatie van IXKR40N60C | |||
|---|---|---|---|
| Fabrikant Onderdeelnummer | IXKR40N60C | Categorie | |
| Fabrikant | IXYS / Littelfuse | Beschrijving | MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 |
| Pakket / koffer | ISOPLUS247™ | hoeveelheid beschikbaar | 3028 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 3mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Leverancier Device Pakket | ISOPLUS247™ |
| Serie | CoolMOS™ | Rds On (Max) @ Id, VGS | 70mOhm @ 25A, 10V |
| Vermogensverlies (Max) | - | Verpakking / doos | TO-247-3 |
| Pakket | Tube | Temperatuur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type | Through Hole | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
| FET Type | N-Channel | FET Feature | - |
| Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan) | 10V | Drain naar de Bron Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 38A (Tc) | Base Productnummer | IXKR40 |
| Download | IXKR40N60C PDF - EN.pdf | ||
Productmodel
IXKR40N60C
Inleiding
Hoogvermogen, N-Kanaal Super Junction MOSFET
Merk en Fabrikant
IXYS Corporation
Kenmerken
Metaaloxide halfgeleider FET-technologie, Super Junction met hoge afvoerefficiëntie, N-Kanaal voor efficiënte schakeling, Doorsteekmontage voor robuuste verbindingen
Productprestaties
Maximale drain-source spanning van 600V, Continue drainstroom van 38A bij 25°C, Lage inschakelweerstand van 70 mOhm bij 25A en 10V gate-source spanning, Maximale gate drempelspanning van 3.9V bij 3mA
Technische specificaties
Gate-lading (Qg) 250nC @ 10V gate-source spanning, Rds On 70 mOhm bij 25A en 10V, Vgs(th) 3.9V @ 3mA, Drain tot bron spanning (Vdss) 600V, Stroom - Continue Drain (Id) 38A bij 25°C
Afmetingen, vorm en verpakking
ISOPLUS247 behuizing voor verhoogde vermogensdichtheid, Verpakt in buizen voor veilige transport
Kwaliteit en betrouwbaarheid
Bedrijfstemperatuurbereik van -40°C tot 150°C, Loodvrij en RoHS-conform voor milieuveiligheid
Voordelen van het product
Efficiëntie in toepassingen met hoge spanningsschakeling, Hogere thermische prestaties door ISOPLUS247
Concurrentievermogen van het product
Super Junction-technologie voor betere vermogensverwerking, Concurrentiële inschakelweerstand en laadkenmerken
Compatibiliteit
Doorsteek ISOPLUS247 behuizing voor algemeen gebruik, Geschikt voor hoogvermogen schakelingen
Standaardcertificering en naleving
RoHS-conform voor vermindering van schadelijke stoffen, Loodvrij om te voldoen aan wereldwijde milieunormen
Levensduur en duurzaamheid
Verhoogde levensduur door robuuste thermische eigenschappen, Duurzaam product gezien de RoHS-conformiteit
Daadwerkelijke toepassingsgebieden
Vermogensomvorming, Schakelkrachtbronnen, Motorbesturing, Omvormers en converters, Industriële toepassingen die hoge spanningsverwerking vereisen
E-mail ons: Info@Ariat-Tech.com of RFQ IXKR40N60C online.
| IXKR40N60C Stock | IXKR40N60C Prijs | IXKR40N60C Electronics | |||
| IXKR40N60C-componenten | IXKR40N60C-inventaris | IXKR40N60C Digikey | |||
| Leverancier IXKR40N60C | Bestel IXKR40N60C online | Vraag IXKR40N60C | |||
| IXKR40N60C afbeelding | IXKR40N60C Afbeelding | IXKR40N60C PDF | |||
| IXKR40N60C Datasheet | Download IXKR40N60C datasheet | Fabrikant IXYS / Littelfuse | |||
| Gerelateerde onderdelen voor IXKR40N60C | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Beeld | Onderdeel nummer | Beschrijving | Fabrikant | Vraag een offerte aan | |
 |
IXKP24N60C5M | MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220ABFP | IXYS | ||
 |
IXKR40N60C MOS | IXYS TO-247 | IXYS | ||
|
IXKU5-505MINIPACK2 | MOSFET MINIPACK-2 | IXYS | ||
|
IXKP20N60C5M | MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220ABFP | IXYS | ||
 |
IXKP20N60C5 | MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB | IXYS | ||
|
IXKX50N60BU1 | IXYS New | IXYS | ||
|
IXKP35N60C5 | MOSFET N-CH 600V 35A TO220AB | IXYS | ||
 |
IXKT70N60C5-TUB | MOSFET N-CH 600V 68A TO268 | IXYS | ||
|
IXKP13N60C5 | MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB | IXYS | ||
|
IXKR40N60 | IXYS New | IXYS | ||
 |
IXKR47N60C5 | MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247 | IXYS | ||
|
IXKR25N80C | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 | IXYS | ||
|
IXKP10N60C5M | MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP | IXYS | ||
|
IXKN75N60 | IGBT Modules | IXYS | ||
|
IXKT70N60C5-TRL | MOSFET P-CH 600V 68A TO-268 | IXYS | ||
|
IXKP13N60C5M | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220ABFP | IXYS | ||
|
IXKP24N60C5 | MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB | IXYS | ||
 |
IXKN75N60C | MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B | IXYS | ||
 |
IXKT70N60C5 | MOSFET P-CH 600V 68A TO-268 | IXYS Corporation | ||
|
IXKP10N60C5 | MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB | IXYS | ||
Nieuws
Meer
Microchip's Polarfire® SOC FPGA heeft een AEC -Q100 -certificering ontvangen, wat zijn betrouwbaarheid bevestigt onder harde automobielvoorwaarden, i...
De PSOCTM 4000T is het eerste product van Infineon met de vijfde generatie Capsense ™ -technologie van het bedrijf en multisse functionaliteit.Deze d...
Een executive voor leverancier van Auto Parts heeft onthuld dat EV -ontwikkeling op de Noord -Amerikaanse markt is vastgelopen omdat autofabrikanten e...
Infineon en Eatron breiden hun samenwerking tussen AI Battery Management System (BMS) uit naar industriële en consumentenelektronica.Gebaseerd op de ...
Op Semiconductor kondigde onlangs de lancering aan van de eerste realtime, indirecte time-of-flight (ITOF) sensor, de Hyperlux ID-serie, die een zeer ...
Nieuwe Producten
Meer
Foto-elektrische sensor PD30-serie De miniatuur foto-elektrische sensoren van Carlo Gavazzi zijn uit...
XC112 / XR112 evaluatiekit voor de A111 gepulste coherente radarAcconeer's XC112 en XR112 evaluatiekit met platte flexibele kabels en ondersteuning vo...
Servo-aandrijvingen en motoren van de MINAS A6-serie Panasonic's MINAS A6-familie zorgt voor een sta...
UV-LED Driver Board RayVio's UV-LED-driverboard voor XE- en XP1-series UV-C-stralers De ultraviole...
Industriële en uitgebreide test DDR SDRAM De DDR SDRAM-apparaten van Insignis garanderen werking bi...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966TOEVOEGEN: Rm 2703 27F Ho King Comm Centre 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Auteursrechtaanduiding © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle rechten voorbehouden.