| IXFH13N50 | |
|---|---|
| Onderdeel nummer | IXFH13N50 |
| Fabrikant | IXYS |
| Beschrijving | MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD |
| hoeveelheid beschikbaar | 3115 pcs new original in stock. Vraag voorraad en offerte aan |
| ECAD -model | |
| Datasheets | IXFH13N50.pdf |
| IXFH13N50 Price |
Vraag prijs en doorlooptijd online aan or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technische informatie van IXFH13N50 | |||
|---|---|---|---|
| Fabrikant Onderdeelnummer | IXFH13N50 | Categorie | |
| Fabrikant | IXYS / Littelfuse | Beschrijving | MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD |
| Pakket / koffer | TO-247AD (IXFH) | hoeveelheid beschikbaar | 3115 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Leverancier Device Pakket | TO-247AD (IXFH) |
| Serie | HiPerFET™ | Rds On (Max) @ Id, VGS | 400mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vermogensverlies (Max) | 180W (Tc) | Verpakking / doos | TO-247-3 |
| Pakket | Tube | Temperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type | Through Hole | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V | FET Type | N-Channel |
| FET Feature | - | Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan) | 10V |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss) | 500 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
| Base Productnummer | IXFH13 | ||
| Download | IXFH13N50 PDF - EN.pdf | ||
Productmodel
IXFH13N50
Inleiding
Hoge vermogens N-kanaal MOSFET ontworpen voor toepassingen met hoge spanningen
Merk en Fabrikant
IXYS Corporation
Kenmerken
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) technologie; N-kanaalconfiguratie; Hoge vermogensafvoercapaciteit; Doorvoer montage voor veilige mechanische bevestiging; Hoge drain- naar source-spanning classificatie; Lage doorlaatweerstand voor efficiënte geleiding; Verbeterde poortladingseigenschappen.
Productprestaties
Werkt effectief bij temperaturen van -55°C tot 150°C; Continue drainstroomcapaciteit van 13A; Vermogensafvoer tot 180W, wat zorgt voor robuuste prestaties.
Technische specificaties
Drain- naar source-spanning (Vdss) van 500V; Maximaal aan-resistentie (Rds On) van 400 mOhm; Maximaal drempelspanning (Vgs(th)) van 4V; Poortlading (Qg) van 120nC.
Afmetingen, vorm en verpakking
TO-247-3 behuizing met een industrie-standaard TO-247AD vormfactor; Verpakt in buizen voor veilige transport en behandeling.
Kwaliteit en betrouwbaarheid
Gemaakt van kwaliteitsmaterialen voor betrouwbare prestaties; Voldoet aan industrienormen voor elektronische componenten.
Voordelen van het product
Hoge spanningscapaciteiten voor een breed scala aan toepassingen; Hoge efficiëntie door lage geleidingsverliezen.
Concurrentievermogen van het product
Concurrentiële positie in de markt van hogepotentieel transistors vanwege robuuste capaciteiten.
Compatibiliteit
Compatibel met verschillende schakelingen vanwege gestandaardiseerde verpakkingen en operationele parameters.
Standaardcertificering en naleving
Loodvrij en RoHS-conform, wat voldoet aan milieuregels.
Levensduur en duurzaamheid
Ontworpen voor langdurige betrouwbaarheid en duurzaam gebruik in elektronische circuite.
Daadwerkelijke toepassingsgebieden
Geschikt voor voedingssystemen, motorbesturing, schakeltaken en diverse andere toepassingen met hoge spanning.
E-mail ons: Info@Ariat-Tech.com of RFQ IXFH13N50 online.
| IXFH13N50 Stock | IXFH13N50 Prijs | IXFH13N50 Electronics | |||
| IXFH13N50-componenten | IXFH13N50-inventaris | IXFH13N50 Digikey | |||
| Leverancier IXFH13N50 | Bestel IXFH13N50 online | Vraag IXFH13N50 | |||
| IXFH13N50 afbeelding | IXFH13N50 Afbeelding | IXFH13N50 PDF | |||
| IXFH13N50 Datasheet | Download IXFH13N50 datasheet | Fabrikant IXYS / Littelfuse | |||
| Gerelateerde onderdelen voor IXFH13N50 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Beeld | Onderdeel nummer | Beschrijving | Fabrikant | Vraag een offerte aan | |
 |
IXFH130N15X3 | MOSFET N-CH 150V 130A TO247 | IXYS | ||
|
IXFH12N90 IC | IXYS TO-247 | IXYS | ||
|
IXFH12N90P IC | IXYS TO-247 | IXYS | ||
 |
IXFH14N100Q2 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH13N100 | MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH13N90 | MOSFET N-CH 900V 13A TO247AD | IXYS | ||
 |
IXFH140N20X3 | MOSFET N-CH 200V 140A TO247 | IXYS | ||
|
IXFH14N100 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH14N60 | IXYS New | IXYS | ||
|
IXFH12N80P | MOSFET N-CH 800V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH13N80 | MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N50F | MOSFET N-CH 500V 12A TO247 | IXYS | ||
|
IXFH12N90 MOSFETIGBTIC | IXYS TO247-3 | IXYS | ||
|
IXFH12N90P | MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N90 | MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH13N65 | IXYS New | IXYS | ||
|
IXFH13N80Q | MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH140N10P | MOSFET N-CH 100V 140A TO247AD | IXYS | ||
 |
IXFH12N50F | MOSFET N-CH 500V 12A TO247 | IXYS RF | ||
|
IXFH14N100Q | MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD | IXYS | ||
Nieuws
Meer
Microchip's Polarfire® SOC FPGA heeft een AEC -Q100 -certificering ontvangen, wat zijn betrouwbaarheid bevestigt onder harde automobielvoorwaarden, i...
De PSOCTM 4000T is het eerste product van Infineon met de vijfde generatie Capsense ™ -technologie van het bedrijf en multisse functionaliteit.Deze d...
Een executive voor leverancier van Auto Parts heeft onthuld dat EV -ontwikkeling op de Noord -Amerikaanse markt is vastgelopen omdat autofabrikanten e...
Infineon en Eatron breiden hun samenwerking tussen AI Battery Management System (BMS) uit naar industriële en consumentenelektronica.Gebaseerd op de ...
Op Semiconductor kondigde onlangs de lancering aan van de eerste realtime, indirecte time-of-flight (ITOF) sensor, de Hyperlux ID-serie, die een zeer ...
Nieuwe Producten
Meer
Foto-elektrische sensor PD30-serie De miniatuur foto-elektrische sensoren van Carlo Gavazzi zijn uit...
XC112 / XR112 evaluatiekit voor de A111 gepulste coherente radarAcconeer's XC112 en XR112 evaluatiekit met platte flexibele kabels en ondersteuning vo...
Servo-aandrijvingen en motoren van de MINAS A6-serie Panasonic's MINAS A6-familie zorgt voor een sta...
UV-LED Driver Board RayVio's UV-LED-driverboard voor XE- en XP1-series UV-C-stralers De ultraviole...
Industriële en uitgebreide test DDR SDRAM De DDR SDRAM-apparaten van Insignis garanderen werking bi...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966TOEVOEGEN: Rm 2703 27F Ho King Comm Centre 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Auteursrechtaanduiding © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle rechten voorbehouden.