| SI7792DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Onderdeel nummer | SI7792DP-T1-GE3 |
| Fabrikant | Vishay Siliconix |
| Beschrijving | MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK |
| hoeveelheid beschikbaar | 2575 pcs new original in stock. Vraag voorraad en offerte aan |
| ECAD -model | |
| Datasheets | 1.SI7792DP-T1-GE3.pdf2.SI7792DP-T1-GE3.pdf |
| SI7792DP-T1-GE3 Price |
Vraag prijs en doorlooptijd online aan or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technische informatie van SI7792DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Fabrikant Onderdeelnummer | SI7792DP-T1-GE3 | Categorie | |
| Fabrikant | Electro-Films (EFI) / Vishay | Beschrijving | MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK |
| Pakket / koffer | PowerPAK® SO-8 | hoeveelheid beschikbaar | 2575 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Leverancier Device Pakket | PowerPAK® SO-8 |
| Serie | SkyFET®, TrenchFET® Gen III | Rds On (Max) @ Id, VGS | 2.1mOhm @ 20A, 10V |
| Vermogensverlies (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | Verpakking / doos | PowerPAK® SO-8 |
| Pakket | Tape & Reel (TR) | Temperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type | Surface Mount | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4735 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | FET Type | N-Channel |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) | Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan) | 4.5V, 10V |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss) | 30 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 40.6A (Ta), 60A (Tc) |
| Base Productnummer | SI7792 | ||
| Download | SI7792DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Productmodel
SI7792DP-T1-GE3
Inleiding
N-Channel Power MOSFET met Schottky Diode
Merk en Fabrikant
Electro-Films (EFI) / Vishay
Kenmerken
MOSFET (Metal Oxide), N-Channel, Geïntegreerde Schottky Diode (Body Diode), Hoge Continue Drain Stroom, Zonder Lood / RoHS Compliant, Surface Mount Technologie
Productprestaties
Hoge Vermogensafvoer, Efficiënt Thermisch Beheer, Lage Rds On voor Verbeterde Efficiëntie, Hoge Drain to Source Spanning, Snelle Schakeling
Technische specificaties
30V Drain to Source Spanning, 40.6A tot 60A Continue Drain Stroom, 2.1 mOhm Rds On bij 20A, 10V, 4.5V tot 10V Aandrijfspanning, 135nC Gate Lading bij 10V, 4.735nF Invoercapaciteit bij 15V, ±20V Gate to Source Spanning
Afmetingen, vorm en verpakking
PowerPAK SO-8 Verpakking, Tape & Reel Verpakking voor Automatiserende Montage
Kwaliteit en betrouwbaarheid
Vochtgevoeligheidsniveau 1, Robuuste Constructie voor Duurzaamheid
Voordelen van het product
Lage Doorvoerverliezen, Hoge Snelheid Schakelcapaciteiten, Efficiënte Vermogensomzetting
Concurrentievermogen van het product
TrenchFET Gen III Technologie voor Superieure Prestaties, SkyFET Serie Beroemd om Kwaliteit
Compatibiliteit
Compatibel met Andere Surface Mount Apparaten, Geïntegreerde Body Diode voor Vereenvoudigde Circuitontwerp
Standaardcertificering en naleving
Zonder Lood, RoHS Compliant
Levensduur en duurzaamheid
Ontworpen voor Langdurige Betrouwbaarheid
Daadwerkelijke toepassingsgebieden
Vermogensbeheer, DC/DC Converters, Motor Drivers, Computing, Telecommunicatie
E-mail ons: Info@Ariat-Tech.com of RFQ SI7792DP-T1-GE3 online.
| SI7792DP-T1-GE3 Stock | SI7792DP-T1-GE3 Prijs | SI7792DP-T1-GE3 Electronics | |||
| SI7792DP-T1-GE3-componenten | SI7792DP-T1-GE3-inventaris | SI7792DP-T1-GE3 Digikey | |||
| Leverancier SI7792DP-T1-GE3 | Bestel SI7792DP-T1-GE3 online | Vraag SI7792DP-T1-GE3 | |||
| SI7792DP-T1-GE3 afbeelding | SI7792DP-T1-GE3 Afbeelding | SI7792DP-T1-GE3 PDF | |||
| SI7792DP-T1-GE3 Datasheet | Download SI7792DP-T1-GE3 datasheet | Fabrikant Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
| Gerelateerde onderdelen voor SI7792DP-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Beeld | Onderdeel nummer | Beschrijving | Fabrikant | Vraag een offerte aan | |
 |
SI7784DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SI7802DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SI7802DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK | Vishay Siliconix | ||
 |
SI7790DP-T1-GE3 MOS | VISHAY PowerPAKSO-8 | VISHAY | ||
 |
SI7790DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
 |
SI7802DN | SI7802DN SI | SI | ||
|
SI7784DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7802DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7804DN | SI7804DN SI | SI | ||
|
SI7784DP | VISHAY | |||
|
SI7794DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 28.6A/60A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SI7790DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
Si7790DP-T1-E3 | Si7790DP-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7802DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7798DP-T1-GE3 | SI7798DP-T1-GE3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7788DP-T1-GE3 MOS | VBSEMI QFN8 | VBSEMI | ||
|
SI7788DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7800ADN | SI7800ADN SI | SI | ||
|
SI7788DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7804DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
Nieuws
Meer
Microchip's Polarfire® SOC FPGA heeft een AEC -Q100 -certificering ontvangen, wat zijn betrouwbaarheid bevestigt onder harde automobielvoorwaarden, i...
De PSOCTM 4000T is het eerste product van Infineon met de vijfde generatie Capsense ™ -technologie van het bedrijf en multisse functionaliteit.Deze d...
Een executive voor leverancier van Auto Parts heeft onthuld dat EV -ontwikkeling op de Noord -Amerikaanse markt is vastgelopen omdat autofabrikanten e...
Infineon en Eatron breiden hun samenwerking tussen AI Battery Management System (BMS) uit naar industriële en consumentenelektronica.Gebaseerd op de ...
Op Semiconductor kondigde onlangs de lancering aan van de eerste realtime, indirecte time-of-flight (ITOF) sensor, de Hyperlux ID-serie, die een zeer ...
Nieuwe Producten
Meer
Bluetooth® Xpress-modules en ontwikkelingsplatformDe Blue Gecko Xpress BGX13 van Silicon Labs is een draadloze Xpress-module die speciaal is ontworpe...
EFR32 ™ Flex Gecko Sub-GHz en 2,4 GHz eigen draadloze starterkits Het EFR32 Flex Gecko dual-band dr...
Wi-Fi Development Kit voor de Zentri AMW007-E03-module Met de AMW007-ontwikkelingskit van Silicon La...
Si3404 en Si3406x Power over Ethernet (PoE) Powered Device Chips Silicium-silicium Si3404 en Si3406x...
Si86xx digitale isolatoren familie De digitale isolatoren van Silicon Labs bieden ondersteuning voor...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966TOEVOEGEN: Rm 2703 27F Ho King Comm Centre 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Auteursrechtaanduiding © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle rechten voorbehouden.