STW60NE10 | |
---|---|
Onderdeel nummer | STW60NE10 |
Fabrikant | STMicroelectronics |
Beschrijving | MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3 |
hoeveelheid beschikbaar | 32676 pcs new original in stock. Vraag voorraad en offerte aan |
ECAD -model | |
Datasheets | STW60NE10.pdf |
STW60NE10 Price |
Vraag prijs en doorlooptijd online aan or Email us: Info@ariat-tech.com |
Technische informatie van STW60NE10 | |||
---|---|---|---|
Fabrikant Onderdeelnummer | STW60NE10 | Categorie | |
Fabrikant | STMicroelectronics | Beschrijving | MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3 |
Pakket / koffer | TO-247-3 | hoeveelheid beschikbaar | 32676 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Leverancier Device Pakket | TO-247-3 |
Serie | STripFET™ | Rds On (Max) @ Id, VGS | 22mOhm @ 30A, 10V |
Vermogensverlies (Max) | 180W (Tc) | Verpakking / doos | TO-247-3 |
Pakket | Tube | Temperatuur | 175°C (TJ) |
montage Type | Through Hole | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5300 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 185 nC @ 10 V | FET Type | N-Channel |
FET Feature | - | Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan) | 10V |
Drain naar de Bron Voltage (Vdss) | 100 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Base Productnummer | STW60N | ||
Download | STW60NE10 PDF - EN.pdf |
STW60NE10
N-Kanaal MOSFET ontworpen voor toepassingen met hoge vermogens
STMicroelectronics
Hoge drainstroom van 60A; Lage doorlaatweerstand van 22 mOhm; Hoge vermogensafvoer van 180W; Doorvoermontage voor eenvoudige installatie
Werkt tot een maximale temperatuur van 175°C; Kan drain-source spanningen tot 100V aan; Ondersteunt gate-source spanningen tot ±20V
FET Type: N-Kanaal; Drain tot Source Spanning (Vdss): 100V; Stroom - Continue Drain (Id): 60A; Rds On (Max) bij Id, Vgs: 22 mOhm bij 30A, 10V; Gate Laadcapaciteit (Qg) (Max) bij Vgs: 185nC bij 10V; Ingangscapacitantie (Ciss) (Max) bij Vds: 5300pF bij 25V
Verpakking / Behuizing: TO-247-3; Verpakkings type: Buis; Standaard drie-pins configuratie voor toepassingen met hoge vermogens
Loodvrije Status / RoHS Status: Bevat lood, RoHS niet-conform; Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): 1 (Onbeperkt)
Biedt robuuste thermische prestaties en betrouwbaarheid in omgevingen met hoge temperaturen; Ontworpen voor hoge efficiëntie met lage gate laadcapaciteit en capacitantie
Zeer competitief in toepassingen die hoge vermogensdichtheid en efficiëntie vereisen; Geschikt voor veeleisende omgevingen door hoge temperatuur tolerantie
Compatibel met standaard gate stuurspanningen (10V)
Niet-conform met RoHS, bevat lood
Ontworpen voor langdurige betrouwbaarheid onder hoge thermische en elektrische belastingen
Voedingsnetwerken; Motorsturingen; Omvormers; Schakelregelaars
STW60NE10 Stock | STW60NE10 Prijs | STW60NE10 Electronics | |||
STW60NE10-componenten | STW60NE10-inventaris | STW60NE10 Digikey | |||
Leverancier STW60NE10 | Bestel STW60NE10 online | Vraag STW60NE10 | |||
STW60NE10 afbeelding | STW60NE10 Afbeelding | STW60NE10 PDF | |||
STW60NE10 Datasheet | Download STW60NE10 datasheet | Fabrikant |
Gerelateerde onderdelen voor STW60NE10 | |||||
---|---|---|---|---|---|
Beeld | Onderdeel nummer | Beschrijving | Fabrikant | Vraag een offerte aan | |
![]() |
STW60N10 | STW60N10 ST | ST | ||
![]() |
STW5NA90 | STW5NA90 ST | ST | ||
![]() |
STW5NA100 | STW5NA100 ST | ST | ||
![]() |
STW5NA80 | STW5NA80 STMAR | STMAR | ||
![]() |
STW62N65M5 | MOSFET N-CH 650V 46A TO247 | STMicroelectronics | ||
![]() |
STW65N023M9-4 | N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP., | STMicroelectronics | ||
![]() |
STW65N65DM2AG | MOSFET N-CH 650V 60A TO247 | STMicroelectronics | ||
![]() |
STW62N65M5 MOS | ST TO-247 | ST | ||
![]() |
STW62NM60N | MOSFET N-CH 600V 65A TO247 | STMicroelectronics | ||
![]() |
STW63N65DM2 | MOSFET N-CH 650V 65A TO247 | STMicroelectronics | ||
![]() |
STW60NM60Z | STW60NM60Z ST | ST | ||
![]() |
STW5NK90Z | STW5NK90Z ST | ST | ||
![]() |
STW60N65M5 | MOSFET N-CH 650V 46A TO247 | STMicroelectronics | ||
![]() |
STW65N60DM6 | MOSFET N-CH 600V 38A TO247 | STMicroelectronics | ||
![]() |
STW5NB90 | STW5NB90 ST | ST | ||
![]() |
STW60NM50N | MOSFET N-CH 500V 68A TO247 | STMicroelectronics | ||
![]() |
STW5NB100 | STW5NB100 ST | ST | ||
![]() |
STW62NM60N 94N65 MOS | ST TO-247 | ST | ||
![]() |
STW60NB100 | STW60NB100 ST | ST | ||
![]() |
STW5NK100Z | MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO247-3 | STMicroelectronics |
Nieuws
MeerMicrochip's Polarfire® SOC FPGA heeft een AEC -Q100 -certificering ontvangen, wat zijn betrouwbaarheid bevestigt onder harde automobielvoorwaarden, i...
De PSOCTM 4000T is het eerste product van Infineon met de vijfde generatie Capsense ™ -technologie van het bedrijf en multisse functionaliteit.Deze d...
Een executive voor leverancier van Auto Parts heeft onthuld dat EV -ontwikkeling op de Noord -Amerikaanse markt is vastgelopen omdat autofabrikanten e...
Infineon en Eatron breiden hun samenwerking tussen AI Battery Management System (BMS) uit naar industriële en consumentenelektronica.Gebaseerd op de ...
Op Semiconductor kondigde onlangs de lancering aan van de eerste realtime, indirecte time-of-flight (ITOF) sensor, de Hyperlux ID-serie, die een zeer ...
Nieuwe Producten
MeerFoto-elektrische sensor PD30-serie De miniatuur foto-elektrische sensoren van Carlo Gavazzi zijn uit...
XC112 / XR112 evaluatiekit voor de A111 gepulste coherente radarAcconeer's XC112 en XR112 evaluatiekit met platte flexibele kabels en ondersteuning vo...
Servo-aandrijvingen en motoren van de MINAS A6-serie Panasonic's MINAS A6-familie zorgt voor een sta...
UV-LED Driver Board RayVio's UV-LED-driverboard voor XE- en XP1-series UV-C-stralers De ultraviole...
Industriële en uitgebreide test DDR SDRAM De DDR SDRAM-apparaten van Insignis garanderen werking bi...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966TOEVOEGEN: Rm 2703 27F Ho King Comm Centre 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.