| NVGS5120PT1G | |
|---|---|
| Onderdeel nummer | NVGS5120PT1G |
| Fabrikant | onsemi |
| Beschrijving | MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP |
| hoeveelheid beschikbaar | 70000 pcs new original in stock. Vraag voorraad en offerte aan |
| ECAD -model | |
| Datasheets | 1.NVGS5120PT1G.pdf2.NVGS5120PT1G.pdf3.NVGS5120PT1G.pdf4.NVGS5120PT1G.pdf |
| NVGS5120PT1G Price |
Vraag prijs en doorlooptijd online aan or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technische informatie van NVGS5120PT1G | |||
|---|---|---|---|
| Fabrikant Onderdeelnummer | NVGS5120PT1G | Categorie | |
| Fabrikant | onsemi | Beschrijving | MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP |
| Pakket / koffer | 6-TSOP | hoeveelheid beschikbaar | 70000 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Leverancier Device Pakket | 6-TSOP |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | Rds On (Max) @ Id, VGS | 111mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vermogensverlies (Max) | 600mW (Ta) | Verpakking / doos | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pakket | Tape & Reel (TR) | Temperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type | Surface Mount | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 942 pF @ 30 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.1 nC @ 10 V | FET Type | P-Channel |
| FET Feature | - | Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan) | 4.5V, 10V |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss) | 60 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
| Base Productnummer | NVGS5120 | ||
| Download | NVGS5120PT1G PDF - EN.pdf | ||
Productmodel
NVGS5120PT1G
Inleiding
P-Kanaal MOSFET die efficiënte vermogensbeheer biedt.
Merk en Fabrikant
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kenmerken
MOSFET-technologie, P-kanaal type, efficiënte warmteafvoer, geschikt voor hoge-snelheidsschakeling, oppervlakte-gemonteerd apparaat, RoHS-conform.
Productprestaties
Werkt bij temperaturen van -55°C tot 150°C. Ondersteunt continu een afvoerstroom van 1.8A bij een omgevingstemperatuur van 25°C. Biedt een lage Rds(on) van 111 mOhm bij 2.9A en 10V.
Technische specificaties
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V, Gate Source Threshold Voltage (Vgs(th)) tot 3V, Gate Charge (Qg) 18.1nC bij 10V, Input Capacitance (Ciss) 942pF bij 30V, Drive Voltage 4.5V (minimum Rds On), 10V (maximum Rds On).
Afmetingen, vorm en verpakking
SOT-23-6 behuizing, 6-TSOP pakket, Cut Tape (CT) verpakking.
Kwaliteit en betrouwbaarheid
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) 1.
Voordelen van het product
Hoge efficiëntie en lage doorlaatweerstand voor energiebesparing, compact formaat voor toepassingen met ruimtebeperkingen.
Concurrentievermogen van het product
Uitgebreid temperatuurbereik voor verschillende omgevingsomstandigheden, hoge afvoer spanning en ondersteuning van continue stroom.
Compatibiliteit
Compatibel met oppervlakte-montagetechnologie.
Standaardcertificering en naleving
Loodvrij, RoHS-conform.
Levensduur en duurzaamheid
Duurzaam met een uitgebreid bedrijfstemperatuurbereik.
Daadwerkelijke toepassingsgebieden
Vermogensbeheer voor een breed scala aan elektronische toepassingen, geschikt voor consumentenelektronica, de auto-industrie en industrieel gebruik.
E-mail ons: Info@Ariat-Tech.com of RFQ NVGS5120PT1G online.
| NVGS5120PT1G Stock | NVGS5120PT1G Prijs | NVGS5120PT1G Electronics | |||
| NVGS5120PT1G-componenten | NVGS5120PT1G-inventaris | NVGS5120PT1G Digikey | |||
| Leverancier NVGS5120PT1G | Bestel NVGS5120PT1G online | Vraag NVGS5120PT1G | |||
| NVGS5120PT1G afbeelding | NVGS5120PT1G Afbeelding | NVGS5120PT1G PDF | |||
| NVGS5120PT1G Datasheet | Download NVGS5120PT1G datasheet | Fabrikant | |||
| Gerelateerde onderdelen voor NVGS5120PT1G | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Beeld | Onderdeel nummer | Beschrijving | Fabrikant | Vraag een offerte aan | |
 |
NVGS4111PT1G | MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP | onsemi | ||
 |
ISE0315A-H | DC DC CONVERTER 15V 1W | N/A | ||
 |
RT1206CRD07665KL | RES SMD 665K OHM 0.25% 1/4W 1206 | YAGEO | ||
 |
NVGS3443T1G MOS | ON SOT23-6 | ON | ||
|
NVG800A75L4DSB2 | MODULE | onsemi | ||
|
NVGS4141NT1G | MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP | onsemi | ||
 |
NVG800A75L4DSC-Z008 | DUAL SIDE COOLING POWER MODULE | onsemi | ||
|
NVGS3136PT1G MOS | ON SOT23-6 | ON | ||
|
NVGS3130NT1G | MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP | onsemi | ||
|
NVGS3130N | NVGS3130N ON | ON | ||
 |
OSTOQ041551 | TERM BLOCK HDR 4POS 90DEG 3.5MM | On Shore Technology Inc. | ||
|
NVGS3136PT1G | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | onsemi | ||
|
NVGS5120PT1G MOS | ON SOT-163 | ON | ||
|
NVGS3443T1G | SINGLE P-CHANNEL POWER MOSFET -2 | onsemi | ||
|
NVGS3441T1G MOS | ON SOT23-6 | ON | ||
 |
ABS06L-32.768KHZ-9-T | CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF SMD | Abracon LLC | ||
|
NVGS3441T1G | MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP | onsemi | ||
|
NVG800A75L4DSC | IC PWR MOD 750V 800A AHPM15 | onsemi | ||
|
NVG800A75L4DSC2 | IC PWR MOD 750V 800A AHPM15 | onsemi | ||
|
NVGS4111PT1G MOS | ON SOT163 | ON | ||
Nieuws
Meer
Microchip's Polarfire® SOC FPGA heeft een AEC -Q100 -certificering ontvangen, wat zijn betrouwbaarheid bevestigt onder harde automobielvoorwaarden, i...
De PSOCTM 4000T is het eerste product van Infineon met de vijfde generatie Capsense ™ -technologie van het bedrijf en multisse functionaliteit.Deze d...
Een executive voor leverancier van Auto Parts heeft onthuld dat EV -ontwikkeling op de Noord -Amerikaanse markt is vastgelopen omdat autofabrikanten e...
Infineon en Eatron breiden hun samenwerking tussen AI Battery Management System (BMS) uit naar industriële en consumentenelektronica.Gebaseerd op de ...
Op Semiconductor kondigde onlangs de lancering aan van de eerste realtime, indirecte time-of-flight (ITOF) sensor, de Hyperlux ID-serie, die een zeer ...
Nieuwe Producten
Meer
Foto-elektrische sensor PD30-serie De miniatuur foto-elektrische sensoren van Carlo Gavazzi zijn uit...
XC112 / XR112 evaluatiekit voor de A111 gepulste coherente radarAcconeer's XC112 en XR112 evaluatiekit met platte flexibele kabels en ondersteuning vo...
Servo-aandrijvingen en motoren van de MINAS A6-serie Panasonic's MINAS A6-familie zorgt voor een sta...
UV-LED Driver Board RayVio's UV-LED-driverboard voor XE- en XP1-series UV-C-stralers De ultraviole...
Industriële en uitgebreide test DDR SDRAM De DDR SDRAM-apparaten van Insignis garanderen werking bi...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966TOEVOEGEN: Rm 2703 27F Ho King Comm Centre 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Auteursrechtaanduiding © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle rechten voorbehouden.