| FQB27P06TM | |
|---|---|
| Onderdeel nummer | FQB27P06TM |
| Fabrikant | onsemi |
| Beschrijving | MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK |
| hoeveelheid beschikbaar | 9700 pcs new original in stock. Vraag voorraad en offerte aan |
| ECAD -model | |
| Datasheets | 1.FQB27P06TM.pdf2.FQB27P06TM.pdf3.FQB27P06TM.pdf4.FQB27P06TM.pdf5.FQB27P06TM.pdf6.FQB27P06TM.pdf7.FQB27P06TM.pdf8.FQB27P06TM.pdf |
| FQB27P06TM Price |
Vraag prijs en doorlooptijd online aan or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technische informatie van FQB27P06TM | |||
|---|---|---|---|
| Fabrikant Onderdeelnummer | FQB27P06TM | Categorie | |
| Fabrikant | onsemi | Beschrijving | MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK |
| Pakket / koffer | D²PAK (TO-263) | hoeveelheid beschikbaar | 9700 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Leverancier Device Pakket | D²PAK (TO-263) |
| Serie | QFET® | Rds On (Max) @ Id, VGS | 70mOhm @ 13.5A, 10V |
| Vermogensverlies (Max) | 3.75W (Ta), 120W (Tc) | Verpakking / doos | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pakket | Tape & Reel (TR) | Temperatuur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| montage Type | Surface Mount | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V | FET Type | P-Channel |
| FET Feature | - | Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan) | 10V |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss) | 60 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
| Base Productnummer | FQB27 | ||
| Download | FQB27P06TM PDF - EN.pdf | ||
Productmodel
FQB27P06TM
Inleiding
P-Channel MOSFET voor stroomwisselingstoepassingen
Merk en Fabrikant
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kenmerken
P-Channel MOSFET
Surface mount package
Hoog vermogen dissipatie vermogen
Productprestaties
Bedrijfs temperatuurbereik van -55°C tot 175°C
Maximale continue stroomafvoer van 27A bij 25°C
Laag Rds(on) van 70 mOhm voor efficiënte werking
Technische specificaties
Transistor Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain naar Bron Spanning (Vdss): 60V
Gate-Source Spanning (Vgs max): ±25V
Gate Trigger Spanning (Vgs(th)): 4V typisch
Afmetingen, vorm en verpakking
Verpakking / Geval: TO-263-3, DPak (2 Leiders + Tab), TO-263AB
Verpakt in Tape & Reel (TR)
Kwaliteit en betrouwbaarheid
Vochtigheidsgevoeligheidsniveau (MSL) 1 (Oneindig)
Voordelen van het product
Geschikt voor hoge-temperatuur operaties
Concurrentievermogen van het product
Geoptimaliseerd voor hogere vermogens toepassingen
Compatibiliteit
Compatibel met surface mount technologie apparatuur
Standaardcertificering en naleving
Leadvrij / RoHS Compliant
Levensduur en duurzaamheid
Betrouwbaar prestatie over verlengde tijd
Daadwerkelijke toepassingsgebieden
Stroombeheer in consumentenelektronica en industriële elektronica
E-mail ons: Info@Ariat-Tech.com of RFQ FQB27P06TM online.
| FQB27P06TM Stock | FQB27P06TM Prijs | FQB27P06TM Electronics | |||
| FQB27P06TM-componenten | FQB27P06TM-inventaris | FQB27P06TM Digikey | |||
| Leverancier FQB27P06TM | Bestel FQB27P06TM online | Vraag FQB27P06TM | |||
| FQB27P06TM afbeelding | FQB27P06TM Afbeelding | FQB27P06TM PDF | |||
| FQB27P06TM Datasheet | Download FQB27P06TM datasheet | Fabrikant | |||
| Gerelateerde onderdelen voor FQB27P06TM | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Beeld | Onderdeel nummer | Beschrijving | Fabrikant | Vraag een offerte aan | |
 |
FQB27N25TM-F085P | 250V, 26A, 108M, D2PAKN-CHANNEL | onsemi | ||
 |
FQB2N50TM | MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK | onsemi | ||
 |
FQB27N25TM-F085 | FQB27N25 - N-CHANNEL ULTRAFET 25 | Fairchild Semiconductor | ||
 |
FQB27N25TM_F085 | MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M | N/A | ||
|
FQB2N50C | FQB2N50C VB | VB | ||
|
FQB27N25TM-F085 | MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK | onsemi | ||
|
FQB27P06 | FQB27P06 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FQB2N60TM | MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK | onsemi | ||
|
FQB27N25 | FQB27N25 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FQB2N80 | FQB2N80 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FQB27N25TM | N-CHANNEL POWER MOSFET | Fairchild Semiconductor | ||
|
FQB27P06TM-NL | FAIRCHILD | |||
|
FQB2N50TM | MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK | Fairchild Semiconductor | ||
|
FQB27P06TM | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | Fairchild Semiconductor | ||
|
FQB27N25TM_AM002 | MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK | onsemi | ||
|
FQB2N60 | FQB2N60 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FQB27P06TM MOS | FAIRCHILD TO-263 | FAIRCHILD | ||
|
FQB2N30TM | MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK | onsemi | ||
|
FQB2N50 | FQB2N50 VB | VB | ||
|
FQB27P06 MOS | FAIRCHILD TO-263 | FAIRCHILD | ||
Nieuws
Meer
Microchip's Polarfire® SOC FPGA heeft een AEC -Q100 -certificering ontvangen, wat zijn betrouwbaarheid bevestigt onder harde automobielvoorwaarden, i...
De PSOCTM 4000T is het eerste product van Infineon met de vijfde generatie Capsense ™ -technologie van het bedrijf en multisse functionaliteit.Deze d...
Een executive voor leverancier van Auto Parts heeft onthuld dat EV -ontwikkeling op de Noord -Amerikaanse markt is vastgelopen omdat autofabrikanten e...
Infineon en Eatron breiden hun samenwerking tussen AI Battery Management System (BMS) uit naar industriële en consumentenelektronica.Gebaseerd op de ...
Op Semiconductor kondigde onlangs de lancering aan van de eerste realtime, indirecte time-of-flight (ITOF) sensor, de Hyperlux ID-serie, die een zeer ...
Nieuwe Producten
Meer
Foto-elektrische sensor PD30-serie De miniatuur foto-elektrische sensoren van Carlo Gavazzi zijn uit...
XC112 / XR112 evaluatiekit voor de A111 gepulste coherente radarAcconeer's XC112 en XR112 evaluatiekit met platte flexibele kabels en ondersteuning vo...
Servo-aandrijvingen en motoren van de MINAS A6-serie Panasonic's MINAS A6-familie zorgt voor een sta...
UV-LED Driver Board RayVio's UV-LED-driverboard voor XE- en XP1-series UV-C-stralers De ultraviole...
Industriële en uitgebreide test DDR SDRAM De DDR SDRAM-apparaten van Insignis garanderen werking bi...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966TOEVOEGEN: Rm 2703 27F Ho King Comm Centre 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Auteursrechtaanduiding © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle rechten voorbehouden.