FF200R06KE3 Datasheet, functies en industriële applicaties
2025-04-03 173

De FF200R06KE3 van Infineon Technologies is een krachtig onderdeel dat wordt gebruikt bij het efficiënt beheren van hoge vermogensbehoeften.Deze module is verpakt in een klein formaat, maar levert hoge prestaties met geavanceerde IGBT -technologie en speciale functies voor een betere efficiëntie.Dit artikel legt de belangrijkste kenmerken, het ontwerp en de voordelen van de module uit en benadrukt de rol in verschillende toepassingen.

Catalogus

FF200R06KE3 Overzicht

De FF200R06KE3, gemaakt door Infineon Technologies, is een dubbele geïsoleerde poort bipolaire transistor (IGBT) module die opvalt met zijn 600 V, 200 A -specificaties.Ingekapseld in een compact 62 mm -pakket, combineert het TrenchStop ™ IgBT3 -technologie met een emittergestuurde 3 -diode.Deze integratie verhoogt zowel efficiëntie als prestaties, waardoor het een topkeuze is voor applicaties die robuust energiebeheer vereisen.

Voor degenen die bulkorders willen plaatsen, biedt de FF200R06Ke3 een betrouwbare en goed presterende oplossing om aan uw behoeften te voldoen.

FF200R06KE3 Functies

• Spanning en stroombeoordelingen: In staat om maximaal 600 V en 200 A te hanteren, waardoor het geschikt is voor krachtige toepassingen.

• Geavanceerde technologie: Gebruikt TrenchStop ™ IgBT3 en emittergestuurde 3 diode -technologieën voor geoptimaliseerde schakelkarakteristieken, waaronder verbeterde zachtheid en verminderde schakelverliezen.

• Hoge bedrijfstemperatuur: Ontworpen om te werken bij temperaturen tot 150 ° C, waardoor de betrouwbaarheid onder veeleisende omstandigheden wordt gewaarborgd.

• Montagestijl: Beschikt over een schroefmontageontwerp voor een veilige en eenvoudige installatie.

• UL/CSA -certificering: Gecertificeerd onder UL1557 E83336, die voldoen aan strikte veiligheids- en prestatienormen.

• ROHS -compliance: Voldoet aan de beperking van de richtlijn van gevaarlijke stoffen, die het milieuvriendelijke ontwerp weerspiegelen.

FF200R06KE3 Specificaties

Maximaal nominale waarden

Karakteristieke waarden

FF200R06KE3 Circuitdiagram

Het circuitdiagram toont de interne structuur van de FF200R06KE3 IGBT -module.Het beschikt over twee IGBT-transistoren die zijn aangesloten in een halve brugconfiguratie, die gebruikelijk is voor het schakelen van toepassingen zoals omvormers en motoraandrijvingen.Terminals 1 en 3 zijn de verzamelaars van elke IGBT, terwijl terminals 2 en 4 de emitters zijn.Elke IGBT wordt gekoppeld aan een anti-parallelle diode, waardoor stroom tijdens het schakelen in de tegenovergestelde richting kan stromen.Terminals 5 en 6 vertegenwoordigen de poortcontroles voor de IGBT's en Terminal 7 is een gedeelde emitterverbinding.Deze lay-out ondersteunt efficiënt schakelen en betrouwbaar reverse herstel door de ingebouwde diodes.Het is ontworpen om hoge stromen en spanning af te handelen met verminderd vermogensverlies.De FF200R06KE3 is een praktische oplossing voor systemen die stabiele, krachtige schakelaar nodig hebben.

FF200R06KE3 Alternatieven

• AMFF200R06KE3

• FF200R12KE3

• FF300R06KE3

• FF200R06KE3HOSA1

• FF200R06KE3-B2

FF200R06KE3 TOEPASSINGEN

Frequentie-gecontroleerde omvormeraandrijvingen

De geoptimaliseerde schakelkarakteristieken van de module, zoals verminderde schakelverliezen en verbeterde zachtheid, verbeteren de prestaties en efficiëntie van omvormersystemen.​

Industriële motoraandrijvingen

In staat om hoge stromen en spanningen te hanteren, is de FF200R06Ke3 goed geschikt voor het besturen van grote industriële motoren, wat betrouwbare en precieze motorische werking biedt.

Voedingsvoorraden

De high -power hanteringsmogelijkheden van de module maken het ideaal voor gebruik in voedingseenheden die efficiënte energieconversie en -beheer vereisen.

Hernieuwbare energiesystemen

In toepassingen zoals zonne- en windenergie -conversie kan de FF200R06Ke3 worden gebruikt om de efficiënte overdracht en conversie van energie uit hernieuwbare bronnen te beheren.

FF200R06KE3 Pakketoverzicht

Het verpakkingsdiagram van de FF200R06KE3 toont een gedetailleerde mechanische lay -out van de module.Het maakt gebruik van een standaard van 62 mm behuizing, met een lengte van 106,4 mm en 62 mm breed.De module heeft drie hoofdterminals voor vermogensverbindingen, elk gelijkmatig op elkaar op 28 mm uit elkaar, met montagegaten aan beide uiteinden voor een veilige installatie.De hoogte van de behuizing is ongeveer 30 mm, inclusief de terminalpennen.Het omvat een 7-pins bedieningsconnector (DIN46244-A2.8-0.5-Bz) aan de zijkant voor de poort- en emittersignaalregeling.De tekening specificeert ook de montagediepten (minimaal 7 mm, maximaal 10 mm) en toleranties volgens de ISO2768 -normen.Deze gestandaardiseerde omtrek helpt u om de module eenvoudig in uw ontwerpen te integreren met precieze montage en bedrading.

FF200R06KE3 Voordelen

Hoog rendement: Gebruikmakend van geavanceerde IGBT-technologie, bereikt de module een lage spanningsdaling op de toestand, wat resulteert in verminderde geleidingsverliezen en verbeterde algehele efficiëntie.

Robuuste thermische prestaties: Ontworpen voor goede thermische stabiliteit, kan de FF200R06Ke3 effectief werken onder omstandigheden op hoge temperatuur, waardoor consistente prestaties en een lange levensduur worden gewaarborgd.

Gebruiksgemak: De module heeft een schroefontwerp, waardoor een eenvoudige en veilige installatie in verschillende systemen wordt vergemakkelijkt.​

Compact ontwerp: Met een lengte van 106,4 mm biedt de FF200R06Ke3 een compacte vormfactor, waardoor ruimte in apparatuur en systemen efficiënt mogelijk is.​

Fabrikant

Infineon Technologies AG, met hoofdkantoor in Neubiberg, Duitsland, is een toonaangevende wereldwijde fabrikant van halfgeleiders.Infineon is opgericht in 1999 als spin-off van Siemens AG en is uitgegroeid tot een van 's werelds top tien halfgeleiderbedrijven.Het bedrijf heeft ongeveer 58.000 mensen in dienst en rapporteerde een omzet van ongeveer € 15 miljard in 2024.

FF200R06KE3 vs. FF200R12KE3 Vergelijking

Parameter	FF200R06KE3	FF200R12KE3
Collector-emitter spanning (VCES))	600 V	1200 V
Continue collectorstroom (iC))	200 A	200 A
Pakkettype	62 mm	62 mm
IGBT -technologie	Trenchstop ™ IgBT3	Trenchstop ™ IgBT3
Diode -technologie	Emitter gecontroleerde 3 diode	Emitter gecontroleerde hoog rendement diode
Bedieningsverbindingstemperatuur (TVJ OP))	Tot 150 ° C	Tot 125 ° C
Verzadigingsspanning van collector-emitter (VCesat))	1.9 V bij VGe = 15 V, IC = 200 A	2.0 V bij VGe = 15 V, IC = 200 A
Invoercapaciteit (cies)	13.0 NF	14.0 NF
Reverse overdrachtscapaciteit (CRES)	0,5 NF	0,5 NF
Gate Charge (QG)	1,9 µC	1,9 µC
Interne poortweerstand (RGINT)	3.8 Ω	3.8 Ω
Vertragingstijd inzetten (Tmaffiabaas)))	0,25 µs	0,25 µs
Rise Time (TR)	0,09 µs	0,09 µs
Vertragingstijd afdoen (TD (UIT)))	0,55 µs	0,55 µs
Fall Time (TF)	0,13 µs	0,13 µs
Totale vermogensdissipatie (Ppeuter))	680 W	1050 W
Isolatietestspanning (vIsol))	2500 V	2500 V
Gewicht	340 g	340 g
Montagestijl	Schroefbevestiging	Schroefbevestiging
Certificering	UL1557 E83336	UL1557 E83336
ROHS -compliance	Ja	Ja

Conclusie

Samenvattend toont de FF200R06Ke3 -module van Infineon Technologies innovatie in energiebeheer.Het is ontworpen om een ​​breed scala aan veeleisende toepassingen te ondersteunen met zijn hoge efficiëntie en robuuste prestaties.Dit artikel laat zien waarom de FF200R06Ke3 een betrouwbare keuze is voor iedereen die geavanceerde stroomoplossingen nodig heeft, waardoor het een waardevol hulpmiddel is in moderne industriële omgevingen.

Datasheet PDF

FF200R06KE3 Datasheet:

Ff200r06ke3.pdf
FF200R06KE3 Details PDF
FF200R06KE3 PDF - DE.PDF
FF200R06KE3 PDF - fr.pdf
FF200R06KE3 PDF - ES.PDF
FF200R06KE3 PDF - IT.PDF
FF200R06KE3 PDF - KR.PDF